Пластины арсенида галлия (GaAs), третьего по масштабам использования в электронике после кремния и германия, теперь будет производиться в России. До сих пор российские производители полупроводников импортировали их из Южной Кореи, Тайваня и КНР.
Производственный процесс построен на базе прикладных и фундаментальных разработок Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Институт и предоставляет площадку для размещения производственных мощностей. Само производство будет осуществлять АО «Экран-оптические системы», которое уже инвестировало в проект 350 миллионов рублей. Предполагается производить 10 тысяч пластин в год.
В планах компании производить также пластины нитрида галлия (GaN) и электронно-компонентную базу на основе GaN и GaAs для силовой электроники. Общий объём инвестиций оценивается более, чем в 2 миллиарда рублей.
Пластины арсенида галлия используются в производстве высокоточной техники — чипов для сетей 5G, дисплеев, солнечных панелей для космических станций, микросхем для мобильных телефонов, фотоприёмников, светодиодов, полупроводниковых лазеров, радарных систем и т.д. По некоторым свойствам арсенид галлия превосходит кремний, в частности, устройства из этого материала генерируют меньше шума.
