Физики из германского Констанцского университета преодолели барьер в 10–12 секунды, необходимый для коммутации p-n перехода в полупроводниковых транзисторах. Этот показатель является ограничителем для развития чипами на полупроводниках большей производительности.
Исследователи применили принципиально новый способ коммутации — с использованием лазерного луча. Этот метод помог им осуществить перенос или остановку электрона в 1000 раз быстрее — 10–15 секунды.
Устройство состоит из двух золотых треугольных пластин, находящихся друг от друга на расстоянии 6 нанометров. Лазерный импульс позволил изменять электронную проходимость зазора с полной до нулевой. В момент возникновения проводимости в зазоре возникало электрическое поле.
Производство чипов на новом принципе позволит увеличить быстродействие компьютеров еще в 1000 раз.
